Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPP60R074C6XKSA1
Herstellerteilenummer | IPP60R074C6XKSA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IPP60R074C6XKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ |
IPP60R074C6XKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 57.7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74 mOhm @ 21A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.4mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 138nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3020pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 480.8W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP60R074C6XKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPP60R074C6XKSA1-FT |
IPP070N08N3 G
Infineon Technologies
IPP072N10N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP075N15N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP07N03LB G
Infineon Technologies
IPP080N03L G
Infineon Technologies
IPP080N06N G
Infineon Technologies
IPP084N06L3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP084N06L3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP086N10N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP08CN10L G
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel