Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPP60R190P6XKSA1
Herstellerteilenummer | IPP60R190P6XKSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPP60R190P6XKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ P6 |
IPP60R190P6XKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20.2A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 630µ |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1750pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 151W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP60R190P6XKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPP60R190P6XKSA1-FT |
IPD90N08S405ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N10S406ATMA1
Infineon Technologies
IPD90N10S4L06ATMA1
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IPD90P04P405ATMA1
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IPF04N03LA
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IPF04N03LA G
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IPF05N03LA G
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IPF06N03LA G
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IPF09N03LA
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LFXP3C-4T144I
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A54SX16-VQ100
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EP4CE40F23C6N
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10AX016C4U19I3SG
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5SGSED6K2F40C2N
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5CGXFC7B6M15I7N
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EP4SGX530KH40C3NES
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5SGXEA5K1F35I2N
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Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation