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Infineon Technologies IPP65R660CFDAAKSA1

Name: IPP65R660CFDAAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP65R660CFDAAKSA1
Availability: InStock
Rating: 4.7 (797 reviews)

MFG-Teilenummer: IPP65R660CFDAAKSA1

verfügbare Anzahl: 99210 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V TO-220-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPP65R660CFDAAKSA1.pdf

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IPP65R660CFDAAKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPP65R660CFDAAKSA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPP65R660CFDAAKSA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
IPP65R660CFDAAKSA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	660 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	543pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	62.5W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO220-3
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP65R660CFDAAKSA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPP65R660CFDAAKSA1-FT

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