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Infineon Technologies IPP65R660CFDAAKSA1

MFG-Teilenummer
IPP65R660CFDAAKSA1
verfügbare Anzahl
99210 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V TO-220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPP65R660CFDAAKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPP65R660CFDAAKSA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPP65R660CFDAAKSA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
IPP65R660CFDAAKSA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 660 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 543pF @ 100V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package PG-TO220-3
Paket / fall TO-220-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP65R660CFDAAKSA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPP65R660CFDAAKSA1-FT

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