Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPP80N08S406AKSA1
Herstellerteilenummer | IPP80N08S406AKSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPP80N08S406AKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPP80N08S406AKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 150W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP80N08S406AKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPP80N08S406AKSA1-FT |
IPP60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R165CPXKSA1
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IPP60R180C7XKSA1
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IPP60R190E6XKSA1
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IPP60R1K4C6XKSA1
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IPP60R280C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R280CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R280E6XKSA1
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
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LCMXO640E-5FTN256C
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EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel