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Infineon Technologies IPS80R2K0P7AKMA1

Name: IPS80R2K0P7AKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPS80R2K0P7AKMA1
Price: 0.776 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (86 reviews)

MFG-Teilenummer: IPS80R2K0P7AKMA1

verfügbare Anzahl: 33690 Stücke

Referenzpreis: USD 0.776

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolMOS™ P7 MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPS80R2K0P7AKMA1.pdf

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IPS80R2K0P7AKMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPS80R2K0P7AKMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPS80R2K0P7AKMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolMOS™ P7
IPS80R2K0P7AKMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 940mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	175pF @ 500V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	24W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO251-3
Paket / fall	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPS80R2K0P7AKMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPS80R2K0P7AKMA1-FT

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