Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPT60R050G7XTMA1
Herstellerteilenummer | IPT60R050G7XTMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPT60R050G7XTMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ G7 |
IPT60R050G7XTMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 44A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 15.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 800µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2670pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 245W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-HSOF-8-2 |
Paket / fall | 8-PowerSFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPT60R050G7XTMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPT60R050G7XTMA1-FT |
IPS04N03LB G
Infineon Technologies
IPS050N03LGAKMA1
Infineon Technologies
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A1020B-2VQ80I
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XC7A50T-3FGG484E
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5SGXMB6R2F40I2N
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5SGSMD3E3H29C2N
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Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
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LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
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EP4SGX230HF35I4N
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