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Infineon Technologies IPT60R080G7XTMA1

Name: IPT60R080G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT60R080G7XTMA1
Price: 2.976576 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (670 reviews)

MFG-Teilenummer: IPT60R080G7XTMA1

verfügbare Anzahl: 25440 Stücke

Referenzpreis: USD 2.976576

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolMOS™ G7 MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPT60R080G7XTMA1.pdf

IPT60R080G7XTMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPT60R080G7XTMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPT60R080G7XTMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolMOS™ G7
IPT60R080G7XTMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	29A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 490µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1640pF @ 400V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	167W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-HSOF-8-2
Paket / fall	8-PowerSFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPT60R080G7XTMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPT60R080G7XTMA1-FT

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