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Infineon Technologies IPT60R125G7XTMA1

MFG-Teilenummer
IPT60R125G7XTMA1
verfügbare Anzahl
96590 Stücke
Referenzpreis
USD 1.775032
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
CoolMOS™ G7 MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
IPT60R125G7XTMA1.pdf
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IPT60R125G7XTMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPT60R125G7XTMA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPT60R125G7XTMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie CoolMOS™ G7
IPT60R125G7XTMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 320µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 400V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 120W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-HSOF-8-2
Paket / fall 8-PowerSFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPT60R125G7XTMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPT60R125G7XTMA1-FT

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