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Infineon Technologies IPW65R110CFDAFKSA1

MFG-Teilenummer
IPW65R110CFDAFKSA1
verfügbare Anzahl
94580 Stücke
Referenzpreis
USD 7.072
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPW65R110CFDAFKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPW65R110CFDAFKSA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPW65R110CFDAFKSA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
IPW65R110CFDAFKSA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 31.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 118nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3240pF @ 100V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 277.8W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package PG-TO247-3
Paket / fall TO-247-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPW65R110CFDAFKSA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPW65R110CFDAFKSA1-FT

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