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Herstellerteilenummer | IR02BH2R7J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IR02BH2R7J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IR |
IR02BH2R7J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | - |
Material - Kern | Iron |
Induktivität | 2.7µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 355mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 550 mOhm Max |
Q @ Freq | 37 @ 7.9MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 100MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.9MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02BH2R7J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IR02BH2R7J-FT |
IMS05WDSH332K40
Vishay Dale
IMS05WDSH333K40
Vishay Dale
IMS05WDSH390J40
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IMS05WDSH391J40
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IMS05WDSH3R3K40
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IMS05WDSH471K40
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IMS05WDSH472K40
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XA6SLX45-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE6F17C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation