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Herstellerteilenummer | IR02EBR10K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IR02EBR10K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IR |
IR02EBR10K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | - |
Material - Kern | Phenolic |
Induktivität | 100nH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 1.35A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 80 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 680MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 25MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02EBR10K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IR02EBR10K-FT |
IR02BH181K
Vishay Dale
IR02BH1R0J
Vishay Dale
IR02BH1R0K
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IR02BH1R2F
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IR02BH1R5J
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Vishay Dale
EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel