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Herstellerteilenummer | IR02EV100J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IR02EV100J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IR |
IR02EV100J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | - |
Material - Kern | Iron |
Induktivität | 10µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 130mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 3.7 Ohm Max |
Q @ Freq | 55 @ 7.9MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 50MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.9MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02EV100J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IR02EV100J-FT |
IR02BH560K
Vishay Dale
IR02BH561K
Vishay Dale
IR02BH5R1J
Vishay Dale
IR02BH5R6K
Vishay Dale
IR02BH680F
Vishay Dale
IR02BH680K
Vishay Dale
IR02BH681K
Vishay Dale
IR02BH6R8K
Vishay Dale
IR02BH820K
Vishay Dale
IR02BH8R2K
Vishay Dale
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation