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Herstellerteilenummer | IR04ER111J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IR04ER111J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IR |
IR04ER111J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | - |
Material - Kern | Iron |
Induktivität | 110µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 128mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 4.9 Ohm Max |
Q @ Freq | 60 @ 790kHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 8.9MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 790kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.180" Dia x 0.385" L (4.57mm x 9.78mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR04ER111J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IR04ER111J-FT |
IR02ST3R3H
Vishay Dale
IR02ST3R3K
Vishay Dale
IR02ST3R9K
Vishay Dale
IR02ST470K
Vishay Dale
IR02ST471K
Vishay Dale
IR02ST4R3H
Vishay Dale
IR02ST4R3J
Vishay Dale
IR02ST4R7H
Vishay Dale
IR02ST4R7K
Vishay Dale
IR02ST560K
Vishay Dale
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel