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Herstellerteilenummer | IR04ER111J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IR04ER111J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IR |
IR04ER111J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | - |
Material - Kern | Iron |
Induktivität | 110µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 128mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 4.9 Ohm Max |
Q @ Freq | 60 @ 790kHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 8.9MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 790kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.180" Dia x 0.385" L (4.57mm x 9.78mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR04ER111J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IR04ER111J-FT |
IR02ST3R3H
Vishay Dale
IR02ST3R3K
Vishay Dale
IR02ST3R9K
Vishay Dale
IR02ST470K
Vishay Dale
IR02ST471K
Vishay Dale
IR02ST4R3H
Vishay Dale
IR02ST4R3J
Vishay Dale
IR02ST4R7H
Vishay Dale
IR02ST4R7K
Vishay Dale
IR02ST560K
Vishay Dale
XC3S700A-4FG400C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
10AX048E4F29E3LG
Intel
LFXP2-5E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34I3SGES
Intel
EP1S80F1508C7N
Intel