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Herstellerteilenummer | IRF01BH2R2J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF01BH2R2J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IRF |
IRF01BH2R2J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | - |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 2.2µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 630mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 250 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.9MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 115MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.9MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF01BH2R2J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF01BH2R2J-FT |
IR04ERR47J
Vishay Dale
IR04RU100K
Vishay Dale
IR04RU101J
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IR04RU180K
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XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation