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Infineon Technologies IRF100P218XKMA1

MFG-Teilenummer
IRF100P218XKMA1
verfügbare Anzahl
64700 Stücke
Referenzpreis
USD 7.36
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
StrongIRFET™ TRENCHMOSFETS
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IRF100P218XKMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRF100P218XKMA1
Zukünftige Teilenummer FT-IRF100P218XKMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie StrongIRFET™
IRF100P218XKMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.28 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 278µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 555nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 25000pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 556W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-247AC
Paket / fall TO-247-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF100P218XKMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRF100P218XKMA1-FT

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