Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF100P219XKMA1
Herstellerteilenummer | IRF100P219XKMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IRF100P219XKMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | StrongIRFET™ |
IRF100P219XKMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 278µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12020pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 341W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247AC |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF100P219XKMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF100P219XKMA1-FT |
SPI80N06S2-08
Infineon Technologies
SPI80N06S2L-05
Infineon Technologies
SPI80N06S2L-11
Infineon Technologies
SPI80N08S2-07
Infineon Technologies
SPI80N08S2-07R
Infineon Technologies
SPI80N10L
Infineon Technologies
SPD100N03S2L-04
Infineon Technologies
SPD100N03S2L04T
Infineon Technologies
SPD50P03LGBTMA1
Infineon Technologies
SPD50P03LGXT
Infineon Technologies
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel