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Infineon Technologies IRF1010EZPBF

Name: IRF1010EZPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1010EZPBF
Price: 1.304 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (230 reviews)

MFG-Teilenummer: IRF1010EZPBF

verfügbare Anzahl: 72370 Stücke

Referenzpreis: USD 1.304

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRF1010EZPBF.pdf

IRF1010EZPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRF1010EZPBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRF1010EZPBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRF1010EZPBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 51A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	86nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2810pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	140W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220AB
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF1010EZPBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRF1010EZPBF-FT

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