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Herstellerteilenummer | IRF1010EZSTRLP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF1010EZSTRLP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF1010EZSTRLP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 75A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 51A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2810pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 140W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF1010EZSTRLP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF1010EZSTRLP-FT |
IPB120P04P4L03ATMA1
Infineon Technologies
AUIRFS3107TRL
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XC6SLX150-3FG676I
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XC3S1400A-5FG484C
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LAXP2-8E-5FTN256E
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LCMXO2-1200HC-5SG32C
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A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
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5SGXEBBR2H43I3L
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