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Infineon Technologies IRF1010NPBF

MFG-Teilenummer
IRF1010NPBF
verfügbare Anzahl
82490 Stücke
Referenzpreis
USD 1.344
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IRF1010NPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRF1010NPBF
Zukünftige Teilenummer FT-IRF1010NPBF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRF1010NPBF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 85A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3210pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 180W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220AB
Paket / fall TO-220-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF1010NPBF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRF1010NPBF-FT

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