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Infineon Technologies IRF200B211

Name: IRF200B211
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF200B211
Price: 0.928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (39 reviews)

MFG-Teilenummer: IRF200B211

verfügbare Anzahl: 50080 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRF200B211.pdf

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IRF200B211 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRF200B211
Zukünftige Teilenummer	FT-IRF200B211
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®, StrongIRFET™
IRF200B211 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.9V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	80W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220AB
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF200B211 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRF200B211-FT

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