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Herstellerteilenummer | IRF200P222 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF200P222 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | StrongIRFET™ |
IRF200P222 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 182A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6 mOhm @ 82A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 203nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9820pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 556W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247AC |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF200P222 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF200P222-FT |
SPI80N03S2L-06
Infineon Technologies
SPI80N04S2-04
Infineon Technologies
SPI80N06S-08
Infineon Technologies
SPI80N06S2-07
Infineon Technologies
SPI80N06S2-08
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SPI80N06S2L-05
Infineon Technologies
SPI80N06S2L-11
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SPI80N08S2-07
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SPI80N08S2-07R
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SPI80N10L
Infineon Technologies
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
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5SGXMB5R3F43C3N
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5SGXMA7H3F35I3
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LCMXO2280E-3B256C
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LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
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EP20K200EBC356-1
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