Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF3315STRL
Herstellerteilenummer | IRF3315STRL |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF3315STRL |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF3315STRL Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 21A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.8W (Ta), 94W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3315STRL Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF3315STRL-FT |
IPB80N06S407ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S407ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N06S4L05ATMA1
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IPB80N06S4L05ATMA2
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IPB80N06S4L07ATMA1
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IPB80N06S4L07ATMA2
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IPB80N08S207ATMA1
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IPB80N08S406ATMA1
Infineon Technologies
IPB80P03P405ATMA1
Infineon Technologies
IPB80P03P4L04ATMA1
Infineon Technologies
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel