Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF3315STRR
Herstellerteilenummer | IRF3315STRR |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IRF3315STRR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF3315STRR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 21A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.8W (Ta), 94W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3315STRR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF3315STRR-FT |
IPB80N06S4L05ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S4L05ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N06S4L07ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S4L07ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N08S207ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N08S406ATMA1
Infineon Technologies
IPB80P03P405ATMA1
Infineon Technologies
IPB80P03P4L04ATMA1
Infineon Technologies
IPB80P03P4L07ATMA1
Infineon Technologies
IPB80P04P405ATMA1
Infineon Technologies
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel