Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF3515STRR
Herstellerteilenummer | IRF3515STRR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF3515STRR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF3515STRR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 41A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 200W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3515STRR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF3515STRR-FT |
IPB80P04P405ATMA1
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IPB80P04P407ATMA1
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XC3S50-4TQG144I
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XC3S5000-4FGG676I
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XC6SLX25-L1FG484I
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MPF300T-1FCG1152E
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EP3SL200H780I4L
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LFEC6E-3Q208I
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LFXP2-17E-6F484C
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10AX066K2F40E2LG
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