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Infineon Technologies IRF3703PBF

Name: IRF3703PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF3703PBF
Price: 2.648 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (584 reviews)

MFG-Teilenummer: IRF3703PBF

verfügbare Anzahl: 58370 Stücke

Referenzpreis: USD 2.648

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRF3703PBF.pdf

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IRF3703PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRF3703PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRF3703PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRF3703PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	210A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	209nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8250pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.8W (Ta), 230W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220AB
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF3703PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRF3703PBF-FT

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