Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF3711ZL
Herstellerteilenummer | IRF3711ZL |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF3711ZL |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF3711ZL Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 92A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2150pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 79W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-262 |
Paket / fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3711ZL Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF3711ZL-FT |
AUIRFU1010Z
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IPI120N06S403AKSA1
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
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M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
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10M40SAE144I7G
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5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
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5CGXFC9C6F23I7N
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EP20K200CB356C9
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EPF8820AQC208-4AA
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