Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF40DM229
Herstellerteilenummer | IRF40DM229 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF40DM229 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | StrongIRFET™ |
IRF40DM229 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 159A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.85 mOhm @ 97A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 100µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 161nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5317pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 83W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DirectFET™ Isometric MF |
Paket / fall | DirectFET™ Isometric MF |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF40DM229 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF40DM229-FT |
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