Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF530N,127
Herstellerteilenummer | IRF530N,127 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF530N,127 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchMOS™ |
IRF530N,127 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 17A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 633pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 79W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF530N,127 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF530N,127-FT |
BUK7510-55AL,127
NXP USA Inc.
BUK7511-55A,127
NXP USA Inc.
BUK7511-55B,127
Nexperia USA Inc.
BUK7513-75B,127
Nexperia USA Inc.
BUK7514-55A,127
NXP USA Inc.
BUK7514-60E,127
NXP USA Inc.
BUK7515-100A,127
Nexperia USA Inc.
BUK75150-55A,127
NXP USA Inc.
BUK7516-55A,127
Nexperia USA Inc.
BUK751R6-30E,127
NXP USA Inc.
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel