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Infineon Technologies IRF5802TR

MFG-Teilenummer
IRF5802TR
verfügbare Anzahl
23490 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IRF5802TR Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRF5802TR
Zukünftige Teilenummer FT-IRF5802TR
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRF5802TR Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 900mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 540mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 88pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package Micro6™(TSOP-6)
Paket / fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF5802TR Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRF5802TR-FT

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