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Infineon Technologies IRF640NSTRRPBF

Name: IRF640NSTRRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF640NSTRRPBF
Price: 0.6956 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (482 reviews)

MFG-Teilenummer: IRF640NSTRRPBF

verfügbare Anzahl: 25820 Stücke

Referenzpreis: USD 0.6956

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRF640NSTRRPBF.pdf

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IRF640NSTRRPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRF640NSTRRPBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRF640NSTRRPBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRF640NSTRRPBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Not For New Designs
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	67nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1160pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D2PAK
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF640NSTRRPBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRF640NSTRRPBF-FT

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