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Infineon Technologies IRF6602

Name: IRF6602
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6602
Availability: InStock
Rating: 4.6 (628 reviews)

MFG-Teilenummer: IRF6602

verfügbare Anzahl: 19590 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRF6602.pdf

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IRF6602 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRF6602
Zukünftige Teilenummer	FT-IRF6602
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRF6602 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	11A (Ta), 48A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1420pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.3W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	DIRECTFET™ MQ
Paket / fall	DirectFET™ Isometric MQ
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6602 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRF6602-FT

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