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Infineon Technologies IRF6604TR1

Name: IRF6604TR1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6604TR1
Availability: InStock
Rating: 4.7 (558 reviews)

MFG-Teilenummer: IRF6604TR1

verfügbare Anzahl: 83180 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRF6604TR1.pdf

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IRF6604TR1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRF6604TR1
Zukünftige Teilenummer	FT-IRF6604TR1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRF6604TR1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	12A (Ta), 49A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.5 mOhm @ 12A, 7V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2270pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.3W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	DIRECTFET™ MQ
Paket / fall	DirectFET™ Isometric MQ
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6604TR1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRF6604TR1-FT

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