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Infineon Technologies IRF6607TR1

Name: IRF6607TR1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6607TR1
Availability: InStock
Rating: 4.8 (591 reviews)

MFG-Teilenummer: IRF6607TR1

verfügbare Anzahl: 10770 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRF6607TR1.pdf

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IRF6607TR1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRF6607TR1
Zukünftige Teilenummer	FT-IRF6607TR1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRF6607TR1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	27A (Ta), 94A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	75nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6930pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.6W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	DIRECTFET™ MT
Paket / fall	DirectFET™ Isometric MT
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6607TR1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRF6607TR1-FT

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