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Infineon Technologies IRF6608TR1

Name: IRF6608TR1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6608TR1
Availability: InStock
Rating: 4.9 (523 reviews)

MFG-Teilenummer: IRF6608TR1

verfügbare Anzahl: 86130 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRF6608TR1.pdf

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IRF6608TR1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRF6608TR1
Zukünftige Teilenummer	FT-IRF6608TR1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRF6608TR1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	13A (Ta), 55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2120pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.1W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	DIRECTFET™ ST
Paket / fall	DirectFET™ Isometric ST
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6608TR1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRF6608TR1-FT

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