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Herstellerteilenummer | IRF6643TR1PBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF6643TR1PBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF6643TR1PBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6.2A (Ta), 35A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34.5 mOhm @ 7.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.9V @ 150µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2340pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DIRECTFET™ MZ |
Paket / fall | DirectFET™ Isometric MZ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6643TR1PBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF6643TR1PBF-FT |
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