Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF6644TR1
Herstellerteilenummer | IRF6644TR1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF6644TR1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF6644TR1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10.3A (Ta), 60A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 10.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 150µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2210pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DIRECTFET™ MN |
Paket / fall | DirectFET™ Isometric MN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6644TR1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF6644TR1-FT |
IRF6610TR1PBF
Infineon Technologies
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IRF6621TR1
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