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Herstellerteilenummer | IRF6708S2TRPBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF6708S2TRPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF6708S2TRPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 13A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1010pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 20W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DIRECTFET S1 |
Paket / fall | DirectFET™ Isometric S1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6708S2TRPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF6708S2TRPBF-FT |
IRF6619TR1PBF
Infineon Technologies
64-9145
Infineon Technologies
IRF6611
Infineon Technologies
IRF6611TR1
Infineon Technologies
IRF6611TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6611TRPBF
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IRF6612TR1
Infineon Technologies
IRF6612TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6612TRPBF
Infineon Technologies
IRF6616
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
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LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
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EP1K100QC208-1GZ
Intel