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Infineon Technologies IRF6710S2TR1PBF

Name: IRF6710S2TR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6710S2TR1PBF
Availability: InStock
Rating: 4.6 (29 reviews)

MFG-Teilenummer: IRF6710S2TR1PBF

verfügbare Anzahl: 15670 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRF6710S2TR1PBF.pdf

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IRF6710S2TR1PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRF6710S2TR1PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRF6710S2TR1PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRF6710S2TR1PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	12A (Ta), 37A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1190pF @ 13V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.8W (Ta), 15W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	DIRECTFET S1
Paket / fall	DirectFET™ Isometric S1
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6710S2TR1PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRF6710S2TR1PBF-FT

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