Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF6710S2TRPBF
Herstellerteilenummer | IRF6710S2TRPBF |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IRF6710S2TRPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF6710S2TRPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 12A (Ta), 37A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1190pF @ 13V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta), 15W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DIRECTFET S1 |
Paket / fall | DirectFET™ Isometric S1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6710S2TRPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF6710S2TRPBF-FT |
IRF6611TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6611TRPBF
Infineon Technologies
IRF6612TR1
Infineon Technologies
IRF6612TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6612TRPBF
Infineon Technologies
IRF6616
Infineon Technologies
IRF6616TR1
Infineon Technologies
IRF6616TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6619TRPBF
Infineon Technologies
IRF6620TR1
Infineon Technologies
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel