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Herstellerteilenummer | IRF6726MTRPBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF6726MTRPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF6726MTRPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 32A (Ta), 180A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 32A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 77nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6140pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DIRECTFET™ MT |
Paket / fall | DirectFET™ Isometric MT |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6726MTRPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF6726MTRPBF-FT |
IRF6628TRPBF
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A3P015-1QNG68
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5SGXEA7N1F45I2N
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5SGXMB5R1F43C1N
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EP4CGX15BF14I7N
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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EP4SGX70HF35I3N
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