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Infineon Technologies IRF6797MTR1PBF

MFG-Teilenummer
IRF6797MTR1PBF
verfügbare Anzahl
45530 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IRF6797MTR1PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRF6797MTR1PBF
Zukünftige Teilenummer FT-IRF6797MTR1PBF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRF6797MTR1PBF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 36A (Ta), 210A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5790pF @ 13V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Paket / fall DirectFET™ Isometric MX
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6797MTR1PBF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRF6797MTR1PBF-FT

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