Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF6810STRPBF
Herstellerteilenummer | IRF6810STRPBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF6810STRPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF6810STRPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 16A (Ta), 50A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 25µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1038pF @ 13V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 20W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DIRECTFET S1 |
Paket / fall | DirectFET™ Isometric S1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6810STRPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF6810STRPBF-FT |
IRF6612TRPBF
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
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5SGXEA5K3F40I3LN
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EP4CE6E22C8N
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LFEC6E-5F484C
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5SGXEA3H2F35I3LN
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