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Infineon Technologies IRF7779L2TR1PBF

Name: IRF7779L2TR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7779L2TR1PBF
Availability: InStock
Rating: 4.6 (219 reviews)

MFG-Teilenummer: IRF7779L2TR1PBF

verfügbare Anzahl: 84040 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRF7779L2TR1PBF.pdf

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IRF7779L2TR1PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRF7779L2TR1PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRF7779L2TR1PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRF7779L2TR1PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	375A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6660pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.3W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	DIRECTFET L8
Paket / fall	DirectFET™ Isometric L8
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7779L2TR1PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRF7779L2TR1PBF-FT

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