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Infineon Technologies IRF7807VD1PBF

Name: IRF7807VD1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7807VD1PBF
Availability: InStock
Rating: 4.7 (364 reviews)

MFG-Teilenummer: IRF7807VD1PBF

verfügbare Anzahl: 90890 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: FETKY™ MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRF7807VD1PBF.pdf

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IRF7807VD1PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRF7807VD1PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRF7807VD1PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	FETKY™
IRF7807VD1PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	8.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-Funktion	Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-SO
Paket / fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7807VD1PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRF7807VD1PBF-FT

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