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Infineon Technologies IRF8910GPBF

MFG-Teilenummer
IRF8910GPBF
verfügbare Anzahl
65560 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IRF8910GPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRF8910GPBF
Zukünftige Teilenummer FT-IRF8910GPBF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRF8910GPBF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 10V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package 8-SO
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF8910GPBF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRF8910GPBF-FT

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