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Infineon Technologies IRFB3207ZGPBF

Name: IRFB3207ZGPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB3207ZGPBF
Price: 2.464 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (612 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFB3207ZGPBF

verfügbare Anzahl: 63890 Stücke

Referenzpreis: USD 2.464

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFB3207ZGPBF.pdf

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IRFB3207ZGPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFB3207ZGPBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFB3207ZGPBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFB3207ZGPBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Not For New Designs
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	170nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6920pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220AB
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFB3207ZGPBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFB3207ZGPBF-FT

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