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Infineon Technologies IRFB3307ZGPBF

MFG-Teilenummer
IRFB3307ZGPBF
verfügbare Anzahl
60070 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IRFB3307ZGPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRFB3307ZGPBF
Zukünftige Teilenummer FT-IRFB3307ZGPBF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRFB3307ZGPBF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4750pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 230W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220AB
Paket / fall TO-220-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFB3307ZGPBF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRFB3307ZGPBF-FT

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