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Infineon Technologies IRFB59N10DPBF

Name: IRFB59N10DPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB59N10DPBF
Price: 1.992 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (552 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFB59N10DPBF

verfügbare Anzahl: 86710 Stücke

Referenzpreis: USD 1.992

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFB59N10DPBF.pdf

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IRFB59N10DPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFB59N10DPBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFB59N10DPBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFB59N10DPBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	59A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	114nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2450pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.8W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220AB
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFB59N10DPBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFB59N10DPBF-FT

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