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Infineon Technologies IRFB61N15DPBF

Name: IRFB61N15DPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB61N15DPBF
Price: 2.312 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (20 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFB61N15DPBF

verfügbare Anzahl: 61960 Stücke

Referenzpreis: USD 2.312

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFB61N15DPBF.pdf

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IRFB61N15DPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFB61N15DPBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFB61N15DPBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFB61N15DPBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3470pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.4W (Ta), 330W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220AB
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFB61N15DPBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFB61N15DPBF-FT

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