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Infineon Technologies IRFB812PBF

Name: IRFB812PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB812PBF
Price: 0.396 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (589 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFB812PBF

verfügbare Anzahl: 92960 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFB812PBF.pdf

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IRFB812PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFB812PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFB812PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFB812PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	3.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	810pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	78W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220AB
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFB812PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFB812PBF-FT

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